特許

J-GLOBAL ID：200903000356096164

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松縄 有紀 ,  吉野 幸明
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078989
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 ソース/ドレイン拡散層の端部であるバーズビークの下部における接合リーク電流の発生を防止できるようにする。【構成】 フィールド酸化膜5側のソース/ドレイン拡散層9の端部とフィールド酸化膜5のバーズビーク11の端部との間を、ソース/ドレイン拡散層9の最大空乏層幅X以上離間させる。バーズビーク11の下部の結晶欠陥10とソース/ドレイン拡散層9の端部のPN接合部分(又はPN接合部分の空乏層)が交わらないので、接合リーク電流が発生しない。

請求項（抜粋）：

選択酸化法によりアクティブ領域とフィールド領域とに素子分離された半導体装置において、前記アクティブ領域には、ソース/ドレイン拡散層が少なくとも前記フィールド領域端部からソース/ドレイン拡散層の最大空乏層幅以上離間して配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 S ,  H01L 21/94 A