特許
J-GLOBAL ID：200903000358502143
液晶素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066676
公開番号（公開出願番号）：特開平8-240795
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 簡単な工程で耐衝撃性を改善する液晶/高分子の分離構造を構築し、コントラストや応答速度等の駆動特性が良好な液晶素子及びその製造方法を提供する。【構成】 透明電極を有する2枚の基板の電極面が対向するように設置された基板間に高分子液晶を含む隔壁部と低分子液晶から成る構造をもち、この低分子液晶部分が前記高分子液晶を光解離することにより生成したものである液晶素子。少なくとも一方が透明な透明電極を有する一対の基板の電極面が対向するように設置された基板間に液晶基が光により解離する構造を持った高分子液晶、又はこの高分子液晶と低分子液晶の組成物からなる液晶材料を挟持する工程と、前記液晶材料の配向処理を行う工程、基板外部から光を照射して前記高分子液晶を部分的に光解離する工程を含む液晶素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
透明電極を有する2枚の基板の電極面が対向するように設置された基板間に高分子液晶を含む隔壁部と低分子液晶から成る構造をもち、この低分子液晶部分が前記高分子液晶を光解離することにより生成したものであることを特徴とする液晶素子。
IPC (4件)：
G02F 1/13 101
, C09K 19/38
, C09K 19/40
, C09K 19/42
G02F 1/13 101
, C09K 19/38
, C09K 19/40
, C09K 19/42
