半導体装置の製造方法および電気光学装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 須澤修 , 宮坂一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-116760
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267198
出願日： 2008年04月28日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】非晶質シリコン層を改質して得られたポリシリコン層には突起部分が発生する。ゲート絶縁層中に突起があると、この突起部分に電界が集中し、絶縁破壊が生じる。電解還元水は、酸化シリコン層をエッチングせず、ポリシリコン層をエッチングする性質がある。そこで酸化シリコン層を除去した後、電解還元水をスラリーとして用いてCMP法を用いる技術があるが、この場合、ポリシリコン層全面がCMP法により薄層化されてしまうという課題がある。【解決手段】自然酸化シリコン層304を残した状態で電解還元水をスラリー107として用いてCMP工程を行う。機械的効果によりポリシリコン層303の突起上にある自然酸化シリコン層304は除去され、突起領域のみ電解還元水でエッチングが進みポリシリコン層303は平坦化される。そして、平坦部は自然酸化シリコン層304により保護され、薄層化は抑制される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板表面に位置するシリコン層の表面に、酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層を形成した前記基板を、研磨液(スラリー)として電解還元水を用いて化学機械研磨法を用いて研磨する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136

FI (5件)：

H01L21/304 622C , H01L29/78 627A , H01L29/78 618Z , H01L21/304 622W , G02F1/1368

Fターム (25件)：

2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA17 , 2H092MA23 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA19 , 2H092NA21 , 5F110AA18 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110PP03 , 5F110PP38 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

ワーク研磨装置およびワーク研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-280840 出願人：国立大学法人信州大学, 不二越機械工業株式会社

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