特許

J-GLOBAL ID：200903000361492019

チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法

発明者： 後藤 泰司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128483
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326206
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 正の抵抗温度係数を示すチタン酸バリウム系半導体磁器に関し、結晶粒子径が大きくなると破壊電圧の低下が、また結晶粒子径が小さくなると抵抗値の上昇が起こり、絶縁体化するという課題を解決し、抵抗値の上昇がなく破壊電圧の高いチタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体元素としてDyを含むチタン酸バリウムと、半導体化元素としてNbを含むチタン酸バリウムの両者が混在する組成を有する焼結体とし、それぞれの平均粒子径が大小2つの異なる結晶粒子径となるようにすることにより、抵抗値の上昇が抑えられ、破壊電圧の高い正の抵抗温度係数を示すチタン酸バリウム系半導体磁器を得ることができる。

請求項（抜粋）：

チタン酸バリウムに半導体化元素として0.001〜0.003molのDyを含み結晶粒子の平均粒子径が1.0〜5.0μmのチタン酸バリウム系半導体磁器材料と、チタン酸バリウムに半導体化元素として0.002〜0.004molのNbを含み結晶粒子の平均粒子径が20〜30μmのチタン酸バリウム系半導体磁器材料からなり、平均粒子径の異なる2種類の結晶粒子が混在する焼結体を形成した正の抵抗温度係数を示すチタン酸バリウム系半導体磁器。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  H01C 17/00