特許
J-GLOBAL ID：200903000362804677
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230163
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077499
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 浮遊ゲート電極を有する不揮発性半導体装置において、ドレイン端の接合形状を緩やかすることにより、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を得ること。【構成】 p型半導体基板1の表面に、第1のゲート絶縁膜2、浮遊ゲート電極3、第2のゲート絶縁膜4、制御ゲート5を順次積層して複合ゲート電極6を形成する。次いでドレイン形成領域8に注入角度の異なる2度以上のn型不純物のイオン注入を行ない、n型拡散層11a、12aを形成する。これにより、ドレインの浮遊ゲート電極下端部におけるn型拡散層の接合形状を緩やかに形成でき、ドレインディスターブや書込み動作時の第1ゲート絶縁膜や浮遊ゲート電極へのホットホールの注入を抑制できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の一主面上に第1のゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、第2のゲート絶縁膜、並びに制御ゲート電極が順次積層された複合ゲート電極を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記複合ゲート電極を形成した後、前記半導体基板表面のドレイン形成領域に前記半導体基板の前記一主面に立てた法線に対し一定の角度をもち且つ注入角度の異なる2度以上の第2導電型(第2導電型は前記第1導電型とは異なる。)不純物イオンのイオン注入をして、前記浮遊ゲート電極の下端に第2導電型拡散層を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
