特許
J-GLOBAL ID：200903000364083519
半導体加速度センサ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082016
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254544
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 周波数応答性のよい半導体加速度センサを提供する。【構成】 加速度センサ1は,絶縁性材料から形成される上部固定基板2および下部固定基板4と,これらの基板2と4の間に接合された導電性のあるシリコン半導体基板3とから構成される。シリコン半導体基板3には,フレーム部31,重り部32およびこれらを連結する少なくとも1本の片持梁部33が形成される。上部固定基板2の重り部32に対向する面に固定電極21が設けられる。上部固定基板2(固定電極21)に対向する重り部32の面上に,梁軸方向にのびる溝34A が,梁軸に垂直な方向に適当な間隔をあけて複数本形成される。この溝34A の幅は,重り部32の自由端側(梁部33の反対側)に近づくにつれて徐々に拡がっている。
請求項（抜粋）：
フレーム部,このフレーム部内に配置された重り部および重り部をフレーム部に連結する弾性を有する連結部からなる半導体基板と,この半導体基板に接合された少なくとも一つの固定基板とを備えた半導体加速度センサにおいて,上記重り部と上記固定基板の対向する面の少なくとも一方に,上記重り部が変位するときに生じるガス流動量の場所による違いに応じた形状を持つ複数本の溝が形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 Z
