特許

J-GLOBAL ID：200903000364684733

半導体磁器

発明者： 阿部 吉晶 ,  河原 隆彦 ,  並河 康訓 ,  鬼頭 範光 ,  浦原 良一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168886
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022801
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】半導体磁器の突入破壊電圧が高く且つ層状割れが発生しにくい半導体磁器を提供することにある。【課題解決手段】正の抵抗温度特性を有する半導体磁器は、半導体磁器の抵抗値を決定する結晶粒子の粒内抵抗と結晶粒子間の粒界抵抗について、前記抵抗値に占める前記粒内抵抗値を20%以下(0%を含まず)とした。

請求項（抜粋）：

正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の抵抗値を決定する結晶粒子の粒内抵抗と結晶粒子間の粒界抵抗について、前記抵抗値に占める前記粒内抵抗値を20%以下(0%を含まず)としたことを特徴とする半導体磁器。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  C04B 35/46

FI (2件)：

H01C 7/02 ,  C04B 35/46 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-212001
  
• 特開平4-023401