特許
J-GLOBAL ID：200903000370325753
薄膜形成装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-084183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347254
出願日： 1991年04月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】反応ガスを分解させて基板上に膜を気相成長させる薄膜形成装置において成膜速度を上げて生産レベルの装置を実現させるために、反応槽内に配置された基板の両側において反応ガスの流れに沿って反応ガスを基板の近傍に限定的に保持させる遮蔽部材を設けることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
反応ガスを導入する反応ガス導入口を備えた反応槽と、この反応槽内に配置された基板ホルダー上に支持され、反応ガス導入口を通して反応槽内に導入された反応ガスの分解により膜が堆積される基板と、反応ガス導入口からの反応ガスの流れの方向に沿って基板の両側に設けられ、導入された反応ガスを基板の近傍に限定的に保持する遮蔽部材とを有することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/48
, H01L 21/285
