特許
J-GLOBAL ID：200903000371156866

導体パターンの形成方法

発明者：
作山 誠樹

作山 誠樹 について

, 
内田 浩基

内田 浩基 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007484
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 耐湿性や耐薬品性の低い材料により構成される基板であっても、確実に回路パターンを形成することができ、しかも安価かつ簡易な方法によって低抵抗化を実現できる導体パターンを形成方法を提供する。【解決手段】 基板1上に導体層21をパターン形成する方法において、熱可塑性樹脂により、基板1上に所望の樹脂パターン20を形成した後、この樹脂パターン20上に、当該樹脂パターン20を構成する熱可塑性樹脂を接着成分として、導体層21を積層形成する。また、別の方法として、導体粒21b表面の少なくとも一部を熱可塑性樹脂により被覆して接着部20bを形成した接着導体粒22を、基板1の表面に付着させた後に、接着導体粒22の接着部21bを加熱により軟化ないし溶融させて樹脂パターン20とするとともに、導体粒21bにより導体層21を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に導体層をパターン形成する方法であって、熱可塑性樹脂により、上記基板上に所望の樹脂パターンを形成した後、この樹脂パターン上に、当該樹脂パターンを構成する熱可塑性樹脂を接着成分として、導体層を積層形成することを特徴とする、導体パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/12 630 ,  H05K 3/10
FI (2件)：
H05K 3/12 630 A ,  H05K 3/10 B
Fターム (8件)：
5E343CC01 ,  5E343EE23 ,  5E343ER32 ,  5E343FF02 ,  5E343FF30 ,  5E343GG13 ,  5E343GG16 ,  5E343GG20
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 特開平2-180089
  • 特開平2-180089
  • 特開平2-208995
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