特許

J-GLOBAL ID：200903000371804086

半導体光デバイス

発明者： 駒形 信幸
出願人/特許権者： 株式会社東海理化電機製作所
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-311864
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118288
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 静電耐量を向上させることができる半導体光デバイスを提供する。【解決手段】 発光ダイオード1を構成する第1層11は絶縁基板2上に設けられている。第1層11はn型単結晶の窒化ガリウム(GaN)からなっている。第1層11上には第2層12が設けられている。第2層12はp型単結晶の窒化ガリウム(GaN)からなっている。第2層12には露出部11aを露出させる第1開口部14が切り欠き形成されている。露出部11aにはn側電極5が設けられている。第2層12上には透明電極層13が設けられている。第2層12上にはp側電極6が設けられている。透明電極層13には、第2開口部15が第1開口部14に対応する位置に切り欠き形成されている。第2開口部15の開口端縁部15bはアールを有している。

請求項（抜粋）：

基材上に設けられた第1導電型半導体からなる第1層と、前記第1層上に設けられるとともに同第1層の一部を露出させる第1開口部が切り欠き形成された第2導電型半導体からなる第2層と、前記第2層上に設けられるとともに前記第1開口部に対応する位置に第2開口部が切り欠き形成された透明電極層と、前記第1層における露出部位に設けられた第1の電極と、前記第2層上に設けられた第2の電極とを備える半導体光デバイスにおいて、前記第2開口部の開口縁端部はアールを有していることを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 31/10 H

Fターム (19件)：

5F041AA23 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA06 ,  5F049QA03 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SE12 ,  5F049SZ13