特許

J-GLOBAL ID：200903000381838019

半導体チツプキヤリア及びその製造方法

発明者： 南 浩司 ,  加納 武司
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 幹夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239653
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082666
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップ搭載用の凹部の壁面に導電路、絶縁部、短絡路などを自由に形成してPGA基板表面のインナーリードと接続できる内層回路を有する半導体チップキャリアを得る。【構成】 貫通穴2を有するプリント配線板1の片方の表面に接着剤層7を介してリ-ドフレ-ムからなる内層回路6、その外側に絶縁基板8が配設されてなり、前記内層回路6の一部分が貫通穴2の壁面10からPGA基板のプリント配線板1の他の表面に配設された配線パタ-ン3のインナーリード4上に展設され、超音波で接合されてなる半導体チップキャリアである。半導体チップ搭載用の凹部9は貫通穴2を有するプリント配線板1に絶縁基板8を重ね合わせることによって形成される。

請求項（抜粋）：

リ-ドフレ-ムで形成された内層回路の一部が半導体チップ搭載用の凹部の壁面からPGA基板の表面に展設され、PGA基板表面のインナーリードと接合されてなることを特徴とする半導体チップキャリア。