薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306204
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133811
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜を緻密化して薄膜トランジスタの動作特性並びに信頼性を向上させる。【解決手段】薄膜トランジスタを作成する場合、多結晶半導体薄膜5と、その一面側に接して配されたゲート酸化膜3と、ゲート酸化膜3を介して半導体薄膜5に重ねられたゲート電極1とを含む積層構造を、絶縁基板0上に形成する。この際、加熱した触媒体に原料気体を接触させて絶縁物を生成する触媒化学気相成長法を用いてゲート酸化膜3を形成する。同時に、多結晶半導体薄膜5の上面に接する絶縁層であるエッチングストッパー膜6も触媒化学気相成長法で作成し、緻密な組成を得る。

請求項（抜粋）：

非単結晶シリコンからなる活性層を含む半導体薄膜と、該活性層の下面側に接して形成された下部絶縁層と、該活性層の上面側に接して形成された上部絶縁層と、該下部絶縁層又は上部絶縁層を介して該半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構造を絶縁基板上に形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、気密雰囲気下で加熱した触媒体に原料気体を接触させて絶縁物を生成する触媒化学気相成長法を用いて少くとも該上部絶縁層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 617 N , H01L 21/205 , H01L 29/78 617 V

Fターム (67件)：

5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AF07 , 5F045BB07 , 5F045BB17 , 5F045CA15 , 5F045CB04 , 5F045CB05 , 5F045DC51 , 5F045HA12 , 5F045HA15 , 5F045HA18 , 5F045HA22 , 5F110AA08 , 5F110AA13 , 5F110AA18 , 5F110AA19 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE27 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110GG54 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ21

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