特許
J-GLOBAL ID：200903000388330649
炭化ケイ素材料及びRTP装置用治具
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311832
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130964
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 厚みが1mm以下であっても、均熱性が高く、放射温度計により温度測定されるランプ光を透過しないランプアニール装置等に用いられるウェーハ加熱処理装置用のSiC材料を提供する。【解決手段】 多孔質SiCの表面に1若しくは複数層の多結晶SiC膜を形成し、そのうち最外表面に形成されている第1層目のSiCを構成する結晶面を、β型炭化ケイ素の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面とする。
請求項（抜粋）：
多孔質炭化ケイ素基材の表面に緻密な炭化ケイ素膜が形成され、波長が1100nm以下の光の透過率が0.25%以下である炭化ケイ素材料。
Fターム (12件)：
4G001BA04
, 4G001BA60
, 4G001BA82
, 4G001BB22
, 4G001BC45
, 4G001BC47
, 4G001BC72
, 4G001BD31
, 4G001BD38
, 4G001BE01
, 4G001BE03
, 4G001BE35
