特許
J-GLOBAL ID：200903000392412536
半導体記憶装置及び半導体記憶装置におけるデータ消去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078475
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260073
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶装置(フラッシュメモリ)の消去回路の占有面積を大幅に削減してチップ面積を縮小すること【解決手段】 複数のスタックゲート型メモリセル群2〜5に対して消去回路11を共通に使用して保持情報を消去する。保持情報の消去は、MOSスイッチ7〜10を時間をずらして順次に短くオンさせて初期の過渡電流を吸収し(第1の消去)、続いて、MOSスイッチ7〜10を同時にオンさせて残余の電子を吸収すること(第2の消去)によって行われる。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセル群を含むメモリセルブロックについてデータの一括消去を行う場合に、前記複数のメモリセル群の各々について順次にタイミングをずらしながら第1の消去を行い、その後、前記複数のメモリセル群の全群について同じタイミングで第2の消去を行うことを特徴とする半導体記憶装置におけるデータ消去方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 612 E
, G11C 17/00 635
