特許
J-GLOBAL ID：200903000398445401
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204384
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058329
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 バンプ電極間でリーク電流を発生しないようにして、半導体装置のDC入力及び出力部にリーク電流を流れ込まないようにすることができることを目的とする。【構成】 導電性膜2上に該導電性膜2が露出された開口部4aを有する感光性ポリイミド絶縁膜4が少なくとも形成され、該開口部4a内の該導電性膜2とコンタクトするようにバンプ電極6が形成され、該バンプ電極6間の該感光性ポリイミド絶縁膜4に該バンプ電極6同志を分離する分離溝4bが形成されてなるように構成する。
請求項（抜粋）：
導電性膜(2)上に該導電性膜(2)が露出された開口部(4a)を有する感光性ポリイミド絶縁膜(4)が少なくとも形成され、該開口部(4a)内の該導電性膜(2)とコンタクトするようにバンプ電極(6)が形成され、該バンプ電極(6)間の該感光性ポリイミド絶縁膜(4)に該バンプ電極(6)同志を分離する分離溝(4b)が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 C
, H01L 29/78 321 F
