特許
J-GLOBAL ID：200903000398732532
マスクROMの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-321307
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153855
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 プログラムしたトランジスタをアクセスした時にビット線を流れる電流を少なくして、動作マージン等を大きくする。【構成】 チャネル部24のうちでドレイン16との接合部34に対応する部分にも、ビット線である金属配線23を残し、この金属配線23をマスクにしたチャネル部24への不純物25のイオン注入によってプログラムを行う。このため、接合部34には損傷35が発生せず、プログラムしたトランジスタ17をアクセスした時にビット線を流れる電流が少ない。
請求項（抜粋）：
トランジスタのチャネル部に不純物をイオン注入してプログラムを行うマスクROMの製造方法において、前記チャネル部のうちでドレインとの接合部以外の部分に対して前記イオン注入を行うことを特徴とするマスクROMの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8246
, H01L 27/112
