特許
J-GLOBAL ID：200903000400075315
物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法
出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社
松下電子工業株式会社 について
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015807
公開番号（公開出願番号）：特開平10-281870
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 物理量分布検知半導体装置において、画素内の駆動素子の特性バラツキに起因するノイズを精度の高いフィードバックにより解消する。【解決手段】 複数の画素領域23を備え、各画素領域23が物理的刺激に応答して第1の電位状態から物理的刺激の物理量に応じた第2の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部24と、情報蓄積部24の電位状態に応じた電位を出力端子に出力する駆動素子25と、画素領域23の選択を行うスイッチング素子22とを有する。スイッチング素子22が導通状態にあるときに、選択された駆動素子25の出力が参照電位Vrefに実質的に等しくなるように、情報蓄積部24の第1の電位状態を調節する出力調整部43を更に備えている。
請求項（抜粋）：
複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応答して、第1の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第2の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力端子に出力する駆動素子と、前記単位領域の選択を行うスイッチング素子とを有する、物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記スイッチング素子によって選択された駆動素子の出力を受け取り、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記選択された駆動素子の出力を受け取り、前記駆動素子の前記出力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第1の電位状態を調節する出力調整部と、前記複数の単位領域のうちの何れかの単位領域に属する前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を得るために、前記何れかの単位領域に属する前記スイッチング素子を導通状態にする領域選択部と、を更に備えている物理量分布検知半導体装置。
IPC (4件)：
FI (5件)：
引用特許：
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