特許

J-GLOBAL ID：200903000408975170

ダイヤモンド膜の堆積方法と装置

発明者： マシュー シンプソン
出願人/特許権者： サン-ゴバン インダストリアル セラミックス,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145285
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101479
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 原子状水素と電子源ガスを利用し、高い効率と低いコストで合成ダイヤモンド膜を製造するための技術と装置を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド生成用ガスと電子源ガスの混合物を含む環境を提供し、その電子源ガスの自由電子を加速するためにその環境の中に電場を印加し、その自由電子はそのダイヤモンド生成用ガスの中の水素を解離して原子状水素を発生させ、その環境の中に堆積表面を提供し、その原子状水素を利用してそのダイヤモンド生成用ガスからその堆積表面にダイヤモンドを堆積させる、各工程を含むダイヤモンド膜の堆積方法である。さらに、チャンバー、反応ゾーン、ダイヤモンド生成用ガスと電子源ガスをその反応ゾーンに供給するための手段、その反応ゾーンの中に電場を印加する手段、及びその反応ゾーンの近隣の堆積表面を含んでなる装置である。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド生成用ガスと電子源ガスの混合物を含む環境を提供し、その電子源ガスの自由電子を加速するためにその環境の中に電場を印加し、その自由電子はそのダイヤモンド生成用ガスの中の水素を解離して原子状水素を発生させ、その環境の中に堆積表面を提供し、その原子状水素を利用してそのダイヤモンド生成用ガスからその堆積表面にダイヤモンドを堆積させる、各工程を含むことを特徴とするダイヤモンド膜の堆積方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/04 J ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-072993