特許
J-GLOBAL ID：200903000415526429
単結晶体の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067029
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279169
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 単結晶体の急冷を行なうことができるようになると同時に高品質の単結晶体を得ること。【構成】 引き上げチャンバ2bの天井部3aと収納部3bとの接合部からるつぼ5方向に向けて伸延し、育成中のシリコン単結晶体Sを取り囲むように設けられた円筒部42と、この円筒部42の下端部分から外側に張り出した円板部44と、この円板部44の外周端部分から内周方向に向けて前記育成中のシリコン単結晶体Sの引き上げ及び覗き孔26からの固液界面の視認を妨げないような角度で徐々に縮径伸延し、円筒部42に向けて放射される加熱ヒータ6からの輻射熱を遮断する遮熱壁部46とからなる熱履歴形成部材40をチャンバ2内に設けた。
請求項（抜粋）：
融液を収容するるつぼと当該るつぼの外周を取り囲むようにして配置され当該るつぼを加熱する加熱ヒータとを内蔵する加熱チャンバと、当該加熱チャンバの開口部を覆う加熱チャンバ天井部が形成されるとともに、当該天井部の中央部に前記るつぼから引き上げられる単結晶体を内部に収納する収納部が形成され、当該天井部には前記融液と当該引き上げられる単結晶体外周面との固液界面を覗く覗き孔が形成された引き上げチャンバとが設けられた単結晶体の製造装置において、前記加熱チャンバあるいは引上げチャンバから前記るつぼ方向に向けて育成中の単結晶体の近傍まで伸延する円板部と、当該円板部の途中から内周方向に向けて前記育成中の単結晶体の引き上げ及び前記覗き孔からの前記固液界面の視認を妨げないような角度で徐々に縮径伸延し、前記引き上げられる単結晶体に向けて放射される前記加熱ヒータからの輻射熱を遮断する遮熱壁部とで構成された熱履歴形成部材が設けられていることを特徴とする単結晶体の製造装置。
IPC (2件)：
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
