特許
J-GLOBAL ID：200903000417696267
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242008
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074429
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 高い信頼性を有する半導体レーザを提供する。【構成】 基板1上に第1クラッド層2,活性層3及び第2クラッド層4が積層されており、第2クラッド層4の中央にはストライプ状のリッジ部9が電流ブロック層7で埋め込まれた態様で形成されている。このリッジ部9の最頂層には、第2クラッド層4よりも歪を生じ易い低い結晶性を有する歪吸収層5が形成されている。電流ブロック層7を形成する際に、歪吸収層5にだけ歪みが生じ、この歪みは、第2クラッド層4及び活性層3まで増殖しない。
請求項（抜粋）：
活性層上に、又は活性層を含んで、リッジ部を形成した半導体層を基板上に積層し、前記リッジ部の周りを電流ブロック層で埋め込んだ半導体レーザ装置において、前記リッジ部の最頂層に歪停止層を形成してあることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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