半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116865
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314089
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】しきい値電圧が小さく、かつ、短チャネル効果抑制機能が確保された電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 SiGe-nHMOSは、Si基板10と、埋め込み酸化膜11と、半導体層30とを有している。半導体層30は、上部Si膜12と、各々エピタキシャル成長されたSiバッファ層13,SiGe膜14,Siキャップ層15とから構成されている。また、第1,第2Siボディ領域22,23と、高濃度のp型不純物を含むSiGeボディ領域24と、低濃度のp型不純物を含むSiチャネル層25とが設けられている。チャネル領域の下方に、チャネル領域よりもバンドギャップが小さい領域を含み、かつ、チャネル領域よりも不純物濃度が高いボディ領域を導入することにより、しきい値電圧を小さく維持しつつ、動作範囲を拡大する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電界効果型トランジスタを設けてなる半導体装置であって、上記電界効果型トランジスタは、上記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜及びゲート電極と、上記半導体基板内の上記ゲート電極の両側方に位置する領域に設けられ第1導電型不純物を含むソース・ドレイン領域と、上記半導体基板内の上記ソース・ドレイン領域間に位置する領域に設けられたチャネル領域と、上記半導体基板内の上記チャネル領域の下方に位置する領域に設けられ、第2導電型不純物を含むボディ領域とを備え、上記ボディ領域の上記チャネル領域に接する一部の領域のバンドギャップが上記チャネル領域のバンドギャップより小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/8238 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (8件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 618 E , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 613 A , H01L 27/08 321 B , H01L 27/08 321 C , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 618 B

Fターム (55件)：

5F048AA08 , 5F048AB03 , 5F048BA09 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BD09 , 5F048BG07 , 5F110AA05 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG20 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F140AA04 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB13 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BH39 , 5F140BH43 , 5F140BH49

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