半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346562
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150493
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】気相化学エッチングのエンドポイントを正確に検出にし、大面槓にわたり良好な素子持性の半導体装置を製造可能な半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】筐体102の真空処理室110内に絶縁基板10を配置し、ガス供給系141から供給されたエッチングガス、およびアンテナ162によって誘導励起されたプラスマにより、絶縁基板上に形成されたシリコンを含む薄膜を、薄膜上のレジストパターンに基づいて、気相化学エッチングによりパターニングする。その際、光センサ181により、パターニング中における所定幅の波長の発光強度Aを検出するとともに、この所定幅に含まれる特定波長の発光強度Bを検出し、制御部192は、発光強度Bを発光強度Aで除算して除算信号を生成し、この除算信号の変動に基づいてパターニングの終了時を決定する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたシリコンを含む薄膜を、上記薄膜上に形成されたレジストパターンに基づいて、気相化学エッチングによりパタ-ニンダする半導体装置の製造装置において、上記絶縁基板を収納する真空処理室を備えた筐体と、上記真空処理室内にエッチングガスを供給するガス供給手段と、上記真空処理室内にプラズマを励起するプラズマ発生手段と、上記気相化学エッチング中に、上記真空処理室内における所定幅の波長の発光強度Aを検出するとともに、上記所定幅に含まれる特定波長の発光強度Bを検出する光センサと、上記検出された発光強度Bを上記発光強度Aで除算して除算信号を生成する除算部と、上記除算信号に基づいて上記パターニングの終了時を決定する決定部と、を有し、上記プラズマ発生手段を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , G02F 1/1365 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/302 E , G02F 1/136 500 , H01L 21/302 P

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