特許
J-GLOBAL ID：200903000423696597

透過型光変調素子とその製造方法

発明者：
木村 宏一

木村 宏一 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146560
公開番号（公開出願番号）：特開2004-347982
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】従来のようなSi基板(不透明基板)に貫通孔を設ける必要の無い、微細化および集積性に制限のない透過型光変調素子の製造方法を提供する。【解決手段】SOI基板と絶縁層と第2シリコン層とから成るSOI基板の上に、まず画素駆動回路を形成し、次に該画素駆動回路側を支持した状態で前記SOI基板を除去した後、ここに透明基板を接合し、前記画素駆動回路の上にMEM光変調部を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、該透明基板上の光透過領域以外の領域に設けられた薄膜の画素駆動回路と、該画素駆動回路によって制御され該画素駆動回路の上に設けられる微小電気機械要素による透過型光変調部とから成ることを特徴とする透過型光変調素子。
IPC (3件)：
G02B26/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00
FI (3件)：
G02B26/02 B ,  B81B3/00 ,  B81C1/00
Fターム (6件)：
2H041AA02 ,  2H041AA05 ,  2H041AB02 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM