特許

J-GLOBAL ID：200903000426353518

薄膜トランジスタおよびその検査方法

発明者： 後藤 康正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-157209
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339068
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 性能を一定にした薄膜トランジスタおよびその検査方法を提供する。【解決手段】 分光エリプソメータは、光源32からの光をステージ31上の薄膜トランジスタ1のシリコン酸化膜に照射する。シリコン酸化膜で反射した光を回転検光子35で検出して解析する。シリコン酸化膜の波長の角周波数ωに関する誘電率の波長依存の関数ε(ω)を、ε(ω)=ε∞+{(εs+ε∞)ωt2 /(ωt2 +ω2 )とし、εsとωtを変数としたときに、ωtが22±2であることが好ましい。しきい値Vthとωtの関係から、ωtが大きくなるとしきい値Vthは負側に、ωtが大きくなるとしきい値Vthは正側にシフトし、このときのεsは2.0付近の値を示しており、簡易的にωtのみをしきい値Vthの指標にできる。

請求項（抜粋）：

活性層とこの活性層に隣接したシリコン酸化膜を有し、このシリコン酸化膜の波長の角周波数ωに関する誘電率の波長依存の関数ε(ω)を、ε(ω)=ε∞+{(εs+ε∞)ωt2 /(ωt2 +ω2 )とし、εsとωtを変数としたときに、前記シリコン酸化膜のωtが22±2であることを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G01N 21/21

FI (3件)：

G01N 21/21 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 624

Fターム (20件)：

2G059AA02 ,  2G059BB16 ,  2G059EE05 ,  2G059GG07 ,  2G059JJ19 ,  2G059KK01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM09 ,  2G059MM20 ,  5F110AA08 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HM15