特許

J-GLOBAL ID：200903000429035762

電子素子の実装状態検査方法及び実装状態検査システム

発明者： 小坂 幸広 ,  石亀 剛
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 木森 有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071401
公開番号（公開出願番号）：特開2003-269934
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】 異方性導電膜の導電粒子の圧着状態、実装用基板の電極パッドと半導体素子のバンプの変形や、経時的変化が圧着状態に与える影響等を広く観察する。【解決手段】 透明な実装用基板1の電極パッド2に導電粒子6aが含まれる異方性導電膜6を介して半導体素子ICや回路基板F等の電子素子が熱圧着により実装される電子素子の実装状態検査方法において、実装用基板1の電極パッド2に対する導電粒子6aの圧着箇所の隆起状態2aを透明な実装用基板1を介して微分干渉顕微鏡21により観察する。

請求項（抜粋）：

透明な実装用基板の電極パッドに導電粒子が含まれる異方性導電膜を介して半導体素子や回路基板等の電子素子が熱圧着により実装される電子素子の実装状態検査方法において、実装用基板の電極パッドに対する導電粒子の圧着箇所の隆起状態を透明な実装用基板を介して光学顕微鏡に干渉装置を取り込んだ微分干渉顕微鏡により観察することにより、電子素子の実装用基板に対する実装状態を検査することを特徴とする電子素子の実装状態検査方法。

IPC (3件)：

G01B 11/24 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1345

FI (4件)：

G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1345 ,  G01B 11/24 D ,  G01B 11/24 K

Fターム (33件)：

2F065AA51 ,  2F065AA54 ,  2F065BB02 ,  2F065BB05 ,  2F065CC01 ,  2F065CC26 ,  2F065CC28 ,  2F065DD03 ,  2F065FF04 ,  2F065FF26 ,  2F065FF51 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL32 ,  2F065PP12 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ21 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ31 ,  2F065RR06 ,  2F065SS13 ,  2F065SS15 ,  2F065TT08 ,  2H088FA11 ,  2H088FA30 ,  2H088MA20 ,  2H092GA40 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA55 ,  2H092HA19 ,  2H092HA20 ,  2H092NA30