レジストパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215394
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066109
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】化学増幅型レジストパターンの形成方法において、矩形状の信頼性の高いパターン形成を得る。【構成】化学増幅型レジストパターンを2層構造とし、下層膜は酸発生剤の濃度を高く設定するようにした。【効果】半導体基板上の揮発性物質による酸の消失が抑制され、未反応層が形成され難くなり、高信頼性のパターンを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に光照射により強酸を生じる酸発生剤を含む化学増幅型レジストを形成した後、現像して前記基板上にレジストパターンを形成する方法において、前記化学増幅型レジストは、下層膜に使用されるレジストのほうが上層膜に使用されるレジストよりも酸発生剤の濃度が高い2層構造として形成されることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , C23F 1/00 102 , G03F 7/004 503 , G03F 7/26 511

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