特許

J-GLOBAL ID：200903000453086157

スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法

発明者： 大西 隆 ,  吉村 泰徳 ,  岡本 節男
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032829
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311643
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールにおける成膜効率が高いスパッタリング用チタンターゲットを提供する。【構成】 最密充填面に対して垂直な(1 0 -1 0)および/または(1 1 -20)のX線回折強度がランダム配向の場合の1.1倍となり、且つ最密充填に対して平行な(0002)のX線回折強度がランダム配向の場合の1倍未満となるように、ターゲット面の結晶を配向させる。ターゲット面から飛び出すスパッタ粒子の方向が、そのターゲット面に対して垂直な方向に制御される。

請求項（抜粋）：

基板表面に薄膜を形成するスパッタリングに使用されるチタンターゲットであって、前記基板表面に対向するターゲット面の結晶構造として、最密充填面に対して垂直な(1 0 -1 0)および/または(1 1 -2 0)のX線回折強度がランダム配向の場合の1.1倍以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• チタンスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-038418   出願人：東ソー株式会社