特許
J-GLOBAL ID：200903000453369698
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282005
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132236
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】半導体、特にIII-V族半導体の結晶成長を含めた熱プロセスを含む半導体装置の製造方法に関し、結晶表面と表面近傍から構成元素であるV族元素が抜けたり、雰囲気に存在する別のV族元素との反応を防止すること。【構成】III-V族半導体の上に単原子又は分子層の III族原子を堆積させ、その後の熱処理による前記III-V族半導体の劣化を防止することを含む。
請求項（抜粋）：
半導体層の表面に単原子又は分子層の III族原子を堆積させ、次に、前記 III族原子の堆積工程と同等か又はそれよりも高い温度によって熱処理を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
