特許

J-GLOBAL ID：200903000460480014

ガス処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 南百瀬 勇
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026957
公開番号（公開出願番号）：特開2004-237162
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】ガス中の反応性成分について優れた分解能力を有するガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のガス処理装置は、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ24と、副ポンプ24から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置26と、プラズマ分解装置26から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ28と、を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプと、 前記副ポンプから排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置と、 前記プラズマ分解装置から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプと、を含む、ガス処理装置。

IPC (3件)：

B01D53/70 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

FI (3件)：

B01D53/34 134E ,  C23C16/44 J ,  H01L21/205

Fターム (18件)：

4D002AA21 ,  4D002AA22 ,  4D002BA05 ,  4D002BA06 ,  4D002BA07 ,  4D002GA03 ,  4D002GB04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA12 ,  4K030JA00 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG07 ,  5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 排ガス処理装置及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124315   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド