特許
J-GLOBAL ID:200903000460700227
金メッキシリカ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-337727
公開番号(公開出願番号):特開2001-152045
出願日: 1999年11月29日
公開日(公表日): 2001年06月05日
要約:
【要約】【解決手段】 シリカ表面上にケイ素系高分子化合物層、ニッケル-リン合金層及び金層が順次形成されてなり、上記ニッケル-リン合金層中のリン含有量が内部と表層部とで異なることを特徴とする金メッキシリカ。【効果】 本発明によれば、安価で簡便な工程により、強固な密着性を有するニッケルメッキをもつシリカ-ケイ素系高分子化合物-ニッケル/リン合金-金という4層構造をもつ金メッキシリカを得ることができる。この金メッキシリカは、優れた導電性と高い導電安定性をもち、コネクター等の原料として広い応用をもっている。
請求項(抜粋):
シリカ表面上にケイ素系高分子化合物層、ニッケル-リン合金層及び金層が順次形成されてなり、上記ニッケル-リン合金層中のリン含有量が内部と表層部とで異なることを特徴とする金メッキシリカ。
IPC (4件):
C09C 1/28
, C09C 3/06
, C23C 18/52
, H01B 1/00
FI (4件):
C09C 1/28
, C09C 3/06
, C23C 18/52 B
, H01B 1/00 C
Fターム (39件):
4J037AA04
, 4J037AA06
, 4J037AA18
, 4J037CA22
, 4J037CB09
, 4J037CB16
, 4J037CC06
, 4J037CC28
, 4J037DD13
, 4J037EE03
, 4J037EE04
, 4J037EE18
, 4J037EE19
, 4J037EE25
, 4J037EE43
, 4J037EE46
, 4J037FF11
, 4K022AA04
, 4K022AA26
, 4K022AA35
, 4K022AA41
, 4K022BA03
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA36
, 4K022CA06
, 4K022DA01
, 4K022DB01
, 4K022DB02
, 4K022DB04
, 4K022DB07
, 4K022EA01
, 5G301DA02
, 5G301DA05
, 5G301DA10
, 5G301DA29
, 5G301DD08
, 5G301DD10
, 5G301DE03
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