特許

J-GLOBAL ID：200903000465680895

薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： 田代 和昭
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338505
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242445
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 ゲート電極と、ソース電極、ドレイン電極との重なり幅をより小さくすることが困難。【解決手段】 基板301上に第一の導電体層302,303を形成し、これを第一の電極パターン304に形成する工程と、第一の電極パターン304を覆って、第一の絶縁層305、半導体層306、第二の絶縁層307を形成する工程と、第二の絶縁層307をパターンニングする工程と、半導体層306の表面の一部をN型あるいはP型の導電型311にする工程とを経て光電変換装置を形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に、第1の電極、絶縁層、半導体層及び第2の電極をこの順で有する光電変換素子と、該基体上の絶縁層上に半導体層、該半導体層に間隙をあけて設けられた1対のオーミックコンタクト層、該オーミックコンタクト層に接して設けられたソース及びドレイン電極、該間隙に第2の絶縁層を介して設けられたゲート電極を有する薄膜トランジスタと、を有する薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 627 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-200477   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-200477   出願人：三洋電機株式会社