特許

J-GLOBAL ID：200903000471661568

窒素系III-V族化合物半導体の成長方法

発明者： 簗嶋 克典 ,  石橋 晃
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-151661
公開番号（公開出願番号）：特開平9-309796
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 基板結晶を劣化させたり、損傷したりすることなく、しかも欠陥が無く良質の窒素系III-V族化合物半導体を経済的に成長させる方法を提供する。【解決手段】 本発明方法は、窒素系原料とIII族元素の原料を用いて、気相成長法により窒素系III-V族化合物半導体の成長方法であって、窒素系原料として少なくとも一つの窒素原子を含む有機化合物を用いる。また、好適には、窒素原料として、分子量が14よりも大きい基を少なくとも一つ窒素原子に結合してなる有機化合物、例えば第1級アミン、第2級アミン等を使用する。

請求項（抜粋）：

窒素系原料とIII族元素を含む原料とを用いて、気相成長法により窒素系III-V族化合物半導体を成長させる方法において、少なくとも一つの窒素原子を含む有機化合物を窒素系原料として用いることを特徴とする窒素系III-V族化合物半導体の成長方法。

IPC (6件)：

C30B 29/40 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6件)：

C30B 29/40 Z ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18