特許
J-GLOBAL ID：200903000476549510
プラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325230
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181122
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】冷却した下部電極上に被エッチングウェハを載せてプラズマエッチングする方法においてエッチングレートの低下やチャージアップが起きやすいという問題、さらにクランプ(4)がレジストを傷つけるためダストの発生源となるという問題を解決する。【構成】冷却された下部電極(11)上に被エッチングウェハ(12)を載せ、前記下部電極と被エッチングウェハ(12)との隙間にHeガスを流しながらプラズマエッチングを行うに際し、前記被エッチングウェハ(12)を側面からクランプし前記被エッチングウェハ(12)に機械的加重を加えるようにした。
請求項（抜粋）：
冷却された下部電極上に被エッチングウェハを載せ、前記下部電極と被エッチングウェハとの隙間にHeガスを流しながらプラズマエッチングを行うに際し、前記被エッチングウェハを側面からクランプし前記被エッチングウェハに機械的加重を加えるようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/68
