特許
J-GLOBAL ID：200903000476659049
酸化物超電導体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342991
公開番号（公開出願番号）：特開平5-170597
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：
【要約】【目的】 Bi系酸化物超電導体薄膜を気相成長法で作製する際において、結晶相の単一性を高め、かつキャリア濃度の最適化を図る。これらによって、表面平坦性に優れると共に、超電導臨界温度Tc が高いBi系酸化物超電導体薄膜を再現性よく得ることが可能な酸化物超電導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板31を収容した反応炉18に、Bi系酸化物超電導体の構成金属元素を含む有機金属蒸気(原料ガス)を導入し、 700°C〜 800°Cの温度に加熱した基板31上に、Bi2+x Sr2-x Ca1+y Cu2+y Oz (-0.4≦ x≦ 0、-0.5≦ y≦ 1、Biの一部はPb等で置換可能)の組成を満足するBi系酸化物超電導体を気相成長法によって堆積させる。この際、堆積時の反応炉18内の酸素分圧を0.01Torr〜0.5Torrの範囲とし、かつ堆積速度を15nm/時間以下とする。
請求項（抜粋）：
基板を収容した反応容器に、Bi系酸化物超電導体の構成金属元素を含む原料ガスを導入し、前記基板上に前記Bi系酸化物超電導体を気相成長法により堆積させて、前記Bi系酸化物超電導体の薄膜を製造するにあたり、前記Bi系酸化物超電導体の組成を、化学式:Bi2+x Sr2-x Ca1+y Cu2+y Oz (式中、 xは-0.4≦ x≦ 0を満足する数を、また yは-0.5≦ y≦ 1を満足する数をそれぞれ示し、Biの一部はPb等で置換可能)を満足させると共に、前記反応容器内の酸素分圧を0.01Torr〜 0.5Torrの範囲とし、かつ前記基板を 700°C〜 800°Cの範囲の温度に加熱して、15nm/時間以上の堆積速度で、前記Bi系酸化物超電導体を堆積させることを特徴とする酸化物超電導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 29/00 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
