特許

J-GLOBAL ID：200903000482418010

半導体装置の電子線描画方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190435
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ上の欠陥、異物並びにウェハの歪の有無に拘らず精度の高い描画を可能とする描画方法、及び、描画処理と位置のズレに対する較正処理とを効率良く行う描画方法を提供する。【構成】 ウェハ2表面の位置合わせマークKiを電子線4にて走査して位置/高さを検出し、そのデータを、データ検出時点でのウェハの種類,製造段階,及び面内分布に応じて予め分類されている記憶値と比較し、該データが、記憶値の分布の許容範囲から外れているときに、これに代えて対応する上記記憶値を読み出し、これを用いて電子線の偏向量/光電子面の形状/電子線の焦点位置を、偏向器7,回転レンズ6,対物レンズ8の制御により修正する。1回の電子線照射処理により描画される領域は、試料台1の移動方向と直交する方向の電子線走査幅に基いて決定され、該領域の描画終了毎にマークKiの検出による較正処理が行われる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ表面を電子線にて走査して該ウェハ上に形成された複数の位置合せマークの位置又はウェハ表面の高さの少なくとも一方を検出し、斯く検出したデータを、データ検出時点でのウェハ状態に応じて予め分類された記憶値又は面内分布の少なくとも一方に応じて予め分類された記憶値と比較し、該検出したデータが記憶されたデータの分布の許容範囲から外れていると判断されたときに、これに対応する上記記憶値を読み出し、該外れたデータに代えてこの記憶値を用いて電子線の偏向量、電子線の光電子面の形状及び電子線の焦点位置の少なくとも1つを修正してウェハ表面に塗布されたレジストを感光することを特徴とする電子線描画方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G06F 15/62 380 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/30 341 K ,  H01L 21/30 341 M