特許
J-GLOBAL ID：200903000488833150

シリコン半導体ウエハの製造方法

発明者：
木村 裕一

木村 裕一 について


出願人/特許権者：
直江津電子工業株式会社

直江津電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長南 満輝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-195136
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007659
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 エッチング加工や研磨加工によって発生するウエハ外周の形状不良を皆無にすることにより、(高輝度)エッチングウエハを素材とするエッチングエピタキシャルウエハ、及び鏡面ウエハを全面で平坦度の高いものに仕上げる。【解決手段】 エッチング加工時のウエハ内外周の偏り及びエッチング液供給の相違に伴って生じるエッチング量の差が原因のウエハ外周の非平坦な「エッチングダレ」部分、或いは鏡面加工時の研磨クロスへの食い込みに伴って生じるウエハ外周の非平坦な「研磨周辺ダレ」部分を機械的に研削除去することにより平坦度に優れたウエハの内部のみが残る。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンインゴットから切り出したウエハに、順次所定の加工を施してエッチングウエハに仕上げる際のシリコン半導体ウエハの製造方法において、ケミカルエッチング加工を施した後に、このエッチング加工によってエッチングダレが発生するウエハの外周部を研削除去することを特徴とするシリコン半導体ウエハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 611 ,  B24B 1/00 ,  B24B 9/00 601
FI (4件)：
H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 611 A ,  B24B 1/00 A ,  B24B 9/00 601 H
Fターム (5件)：
3C049AA02 ,  3C049BA02 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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