特許
J-GLOBAL ID：200903000491991459
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070884
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273463
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 高出力が可能な窒化物導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とが順に積層されてなる窒化物半導体層を備え、前記p型半導体層にリッジが形成されてストライプ状の導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体層は、エッチングにより形成されてなる共振器面を有し、リッジ上面及びリッジ側面から連続するp型半導体層表面に設けられたp側メタライズ層を介して接合されてなる支持基板を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とが順に積層されてなる窒化物半導体層を備え、前記p型半導体層にリッジが形成されてストライプ状の導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体層は、エッチングにより形成されてなる共振器面を有し、前記リッジ上面及びリッジ側面から連続するp型半導体層表面に設けられたp側メタライズ層を介して接合されてなる支持基板を有することを特徴とする。
Fターム (13件)：
5F073AA13
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA31
, 5F073DA35
, 5F073EA28
, 5F073FA15
, 5F073FA18
