特許
J-GLOBAL ID：200903000494503412
チップ形状半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241657
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097280
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 特に、ダイオードなどの2端子半導体素子において、低コストで超小形外形が可能な面実装タイプのチップ形状半導体素子を提供する。【構成】 デバイスの接合部を形成した半導体基板から製造されるダイオードであって、半導体基板1に表面電極2および裏面電極3が形成され、半導体基板1に形成されたパッシベーション層4による側面が樹脂材料5により被覆されて形成されている。この場合に、デバイスの接合部、パッシベーション層4、表面電極2および裏面電極3が形成された半導体基板1が、まず幅の広いダイシング用ブレードでハーフカットされ、このハーフカットで形成された溝部へ樹脂材料5が充填して硬化された後、さらに幅の狭いダイシング用ブレードでフルカットされることによりチップ形状のダイオードが形成される。
請求項（抜粋）：
デバイスの接合部を形成した半導体基板から製造される半導体素子であって、前記半導体基板に加工を施し、該半導体基板からチップ形状の半導体素子を直接製造することを特徴とするチップ形状半導体素子。
IPC (2件)：
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