特許

J-GLOBAL ID：200903000500824250

光電変換装置

発明者： 石田 耕一 ,  外山 利彦
出願人/特許権者： ミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253542
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076425
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 外部からのキャリアの注入を十分に阻止し、しかも生成したキャリアを効率よく出力することが可能な増倍型のアモルファスシリコン半導体光電変換装置を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコンより成るi型半導体層をp導電型層とn導電型層で挟んだpinフォトダイオードとし、p導電型層をエネルギーバンドギャップが3.3eV以上と大きく、導電率も10-2/Ωcm以上と高い透明なp導電型酸化物で作製する。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコンより成るi型半導体層と、i型半導体層を両面から挟むp導電型層とn導電型層とを有し、i型半導体層で光電変換と光電変換により生じたキャリアの増倍を行う光電変換装置において、前記p導電型層が透明なp導電型酸化物より成ることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/107 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 H ,  H01L 31/10 A

Fターム (6件)：

5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049SE02 ,  5F049SE20 ,  5F049SS01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-233574
  
• 特開昭57-106086
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ワイドギャップp型伝導性酸化物の化学設計