特許

J-GLOBAL ID：200903000501685823

CMPのための研磨流体及び方法

発明者： コロッジ,ジェフリー エス.
出願人/特許権者： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-537785
公開番号（公開出願番号）：特表2009-513028
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

半導体ウェハなど、表面を改質するのに有用ないくつかの研磨組成物を提供し、その研磨組成物は、特に固定砥粒型平坦化技法において使用すると、半導体デバイスの加工に好適である。この研磨組成物は、水、酸化剤、錯化剤、及び金属イオンの相乗混合物を含んでいる。又、表面平坦化の様々な方法を提供する。

請求項（抜粋）：

ウェハの表面を改質するのに有用な固定砥粒型化学的機械的研磨組成物であって、水と、酸化剤と、錯化剤と、金属イオンとの相乗混合物を含み、前記錯化剤の大部分が単純な一官能性酸、単純な二官能性酸、それらの塩、又はそれらの組み合わせから選択される場合、前記組成物中に存在する錯化剤と金属イオンとのモル比が少なくとも3対1であり、前記混合物が研磨粒子を実質的に有していない化学的機械的研磨組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17