特許

J-GLOBAL ID：200903000509883136

パワーデバイスの過熱検出回路

発明者： 西浦 真治 ,  藤平 龍彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129598
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】半導体基板を出力端子として用いるパワーデバイスの温度検出を行う制御部を簡素な構成で同一基板に自己分離型で形成でき、かつ温度依存性を利用して検出温度領域で大きな信号を取り出せるパワーデバイスの過熱検出回路を提供する。【構成】パワーデバイスと同一半導体基板に形成されたPN接合の逆もれ電流は、基板温度の上昇により増加する。この逆もれ電流の増加を直列接続されたデプレッション型MOSFETの静特性を利用して電圧に変化することにより変化の大きな電気信号に変換でき、この電圧信号を判断回路で判断して過熱温度領域に達したときに、パワーデバイスを遮断するなどのための制御信号を出すようにすれば、パワーICの熱破壊事故などを未然に防止することができる。そしてパワーデバイスと同一半導体基板に形成され、一側がGND電位にされるPN接合とそれに直列接続されるデプレッション型MOSFETの中間点の電位を利用して過熱を検出するため、基板をパワーデバイスの出力端子にすることが可能になる。

請求項（抜粋）：

パワーデバイスと共通の半導体基板に形成されてパワーデバイスの過熱を検出する回路であって、デプレッション型MOSFETを用いた定電流電源と、逆バイアスされ一側が低電位に、他側が前記定電流電源に接続されたPN接合と、その定電流電源とPN接合の中間点の電位が所定の値に達したことを判断して信号を発する判断回路とを備えてなることを特徴とするパワーデバイスの過熱検出回路。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H03K 17/08 ,  H03K 17/14 ,  H01L 23/58

FI (3件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 321 T ,  H01L 23/56 D