特許
J-GLOBAL ID：200903000514515722

高速スイッチングダイオードおよびその製造法

発明者：
川地 明幸

川地 明幸 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305935
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079232
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 本発明は、順電圧が低く、逆電流が少なく、スイッチング特性に優れた200V以上の高耐圧スイッチングダイオードを得ることを目的とする。【解決手段】 第1の主面と前記第1の主面と対向する第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層1と、前記第1の半導体層1の第2の主面に接し前記第1の半導体層1よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体層2と、前記第1の半導体層1の第1の主面に接し前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3の半導体層3を備えたダイオードにおいて、前記第2の半導体層2の不純物濃度を5E17atom/cm3以下にし、且つ、前記第3の半導体層3の不純物濃度を9E16atom/cm3以下にしたことを特徴とする高速スイッチングダイオードである。【選択図】 図1
請求項１：
第1の主面と前記第1の主面と対向する第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の第2の主面に接し前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の第1の主面に接し前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3の半導体層を備えたダイオードにおいて、前記第2の半導体層の不純物濃度を5E17atom/cm3以下にし、且つ、前記第3の半導体層の不純物濃度を9E16atom/cm3以下にしたことを特徴とする高速スイッチングダイオード。
IPC (2件)：
H01L21/329 ,  H01L29/861
FI (2件)：
H01L29/91 B ,  H01L29/91 D
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭58-182277号公報
  • 国際公開第02/01643号パンフレット
  • 特開平3-250670号公報
審査官引用 (4件)
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