単結晶育成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江原省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114589
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 FZ法の単結晶育成装置において、試料室の雰囲気ガスの圧力を広範囲に変化させて、同時にガスの流量も正確に調節が可能な育成装置を提供する。【解決手段】複数個のガス供給回路a,b,cが試料室9に対して並列に接続され、その回路には各々マスフローコントローラMFCa,MFCb,MFCcが設けられている。また、そのマスフローコントローラは、それぞれ異なった使用圧力範囲で正確なガス流量の設定が成されたものであるため、異なった複数個のガス圧力下で、各々正確な流量のガスを流しながら単結晶を育成することができるため、これまでより結晶育成中の試料室9の雰囲気ガスの条件を、広範囲に変更しながら実験を行え、様々な組成の単結晶を育成することができる。

請求項（抜粋）：

ガスの流量を調節可能な複数個のマスフローコントローラと、その中で結晶育成を行う試料室とを有し、前記複数個のマスフローコントローラは前記試料室に対して並列に接続され、複数個の中から1個のマスフローコントローラを通してガスが試料室に供給されることを特徴とする単結晶育成装置。

Fターム (4件)：

4G077CE03 , 4G077EG22 , 4G077EG24 , 4G077NF11

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