特許
J-GLOBAL ID:200903000518292140

基板のリソグラフィ処理方法及び基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮川 貞二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-343966
公開番号(公開出願番号):特開平11-162842
出願日: 1997年11月28日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 処理しようとするウエハの処理履歴に拘わらずスループットの高い処理を可能とする処理方法を提供する。【解決手段】 基板Wにパターンを形成する工程を含むリソグラフィ処理方法において、基板Wに付された識別符号121と実際に第1リソグラフィ処理で基板Wが処理された処理条件とを記憶し、第1リソグラフィ処理が行われた基板Wの識別符号121を読み取り、識別符号121を用いて、記憶された処理条件を呼び出し、呼び出された処理条件に基づいて、基板Wに第2リソグラフィ処理を行うリソグラフィ処理方法。記憶された第1リソグラフィ処理が行われた基板Wの識別符号121を用いて、前記処理条件を呼び出して、その条件に基づいて、基板Wに第2リソグラフィ処理を行うので、識別符号により、基板毎に前に行われた処理の順序などを知り、その順序を調整した上で次の第2リソグラフィ処理を行うことができる。
請求項(抜粋):
基板にパターンを形成する工程を含むリソグラフィ処理方法において、前記基板に付された識別符号と実際に第1リソグラフィ処理で前記基板が処理された処理条件とを記憶し、前記第1リソグラフィ処理が行われた前記基板の前記識別符号を読み取り、前記識別符号を用いて、記憶された前記処理条件を呼び出し、呼び出された前記処理条件に基づいて、前記基板に第2リソグラフィ処理を行うことを特徴とするリソグラフィ処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/02
FI (3件):
H01L 21/30 502 G ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/02 Z
引用特許:
審査官引用 (2件)

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