特許
J-GLOBAL ID:200903000518477752

SOI基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉岡 宏嗣 ,  鵜沼 辰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-290705
公開番号(公開出願番号):特開2007-103619
出願日: 2005年10月04日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
【課題】 SOI領域とバルク領域の間の表面段差が無く、かつ、BOX層エッジ部の基板表面突き出しが無いことによる基板表面の空洞が無い部分SOI基板を形成させること。【解決手段】 シリコン単結晶からなるシリコン基板1中に酸化層19が部分的に埋め込まれたSOI基板23の製造方法において、シリコン基板中に酸素イオンを注入して酸化層19を形成する前に、シリコン基板1の酸化層19(17)に対応する領域の表面高さが他の領域の表面高さよりも高い段差8を形成する。この方法によれば、製品のSOI基板23のSOI領域とバルク領域の間の表面段差が無く、かつ、BOX層エッジ部の基板表面突き出しが無いことによる基板表面の空洞が無い部分SOI基板を形成させることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
シリコン単結晶からなるシリコン基板中に酸化層が部分的に埋め込まれたSOI基板の製造方法において、前記シリコン基板中に酸素イオンを注入して前記酸化層を形成する前に、前記シリコン基板の前記酸化層に対応する領域の表面高さが他の領域の表面高さよりも高い段差を形成することを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2件):
H01L 27/12 ,  H01L 21/76
FI (2件):
H01L27/12 L ,  H01L21/76 R
Fターム (10件):
5F032AA07 ,  5F032AA91 ,  5F032BA06 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA78
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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