特許
J-GLOBAL ID：200903000520319633
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320895
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181113
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【構成】 下部電極3に高周波電力を付与したときに発生するウェーハ6の自己バイアス電圧により発生する静電気力と、下部電極3に直流電圧が印加されることにより発生する静電気力とをウェーハ6に作用させて絶縁膜5を介してウェーハ6を下部電極3上に吸着保持しながら、プラズマ処理を行なう。絶縁膜5上には、絶縁膜5より小径のウェーハ6を載置し、このウェーハ6の端縁部をウェーハ押え13により押える。ウェーハ押え13は、絶縁膜5のウェーハ6から露出している部分を覆っている。【効果】 絶縁膜5が直接プラズマに曝されることがなくなり、絶縁膜5の劣化を防止することができ、膜劣化によるパーティクルの発生をなくすことができる。それゆえ、絶縁膜5の交換頻度を大幅に低減させることができ、ランニングコストの低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を介して電極上に載置された絶縁膜より小径のウェーハを、その電極に高周波電力が付与されることにより生成されたプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生により上記ウェーハに生じた自己バイアス電圧にて発生した静電気力および上記電極に直流電圧が印加されることにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持する一方、上記ウェーハの端縁部および上記絶縁膜において上記ウェーハの周囲に露出する部分が絶縁体からなる被覆部材により覆われていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/68
, H05H 1/46
