特許
J-GLOBAL ID:200903000525063696
光半導体素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-175910
公開番号(公開出願番号):特開平5-343816
出願日: 1992年06月11日
公開日(公表日): 1993年12月24日
要約:
【要約】【目的】光半導体の成長界面の漏れ電流を減らし、かつ動作可能な温度範囲を広くするごとができる製造方法を提供する。【構成】III -V族化合物半導体のp型半導体とn型半導体の接合界面が露出した部分を作る第1の工程と、前記露出部分を硫黄化合物またはセレン化合物のうち少なくとも1種類を含む気体中に曝す第2の工程と、該露出部分にIII -V族化合物半導体を結晶成長することによって覆う第3の工程を含むことを特徴とする。
請求項(抜粋):
III -V族化合物半導体のp型半導体とn型半導体の接合界面が露出した部分をIII -V族化合物半導体で覆う工程を有する光半導体素子の製造方法において、前記露出部分を硫黄化合物またはセレン化合物のうち少なくとも1種類を含む気体中に曝す工程と、該気体中に曝した後に、該露出部分にIII -V族化合物半導体を結晶成長することによって該露出部分を覆う工程を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
IPC (2件):
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