特許
J-GLOBAL ID：200903000528206307
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121452
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291437
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【構成】 半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備え、上記封止樹脂層が、破壊靭性値(Kc)と、弾性値と線膨張係数より求められる内部応力値(σ)との比(Kc/σ)が2.0以上に設定されている。【効果】 熱サイクル試験において評価される特性が向上し長寿命になる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備え、上記封止樹脂層が、破壊靭性値(Kc)と、弾性値と線膨張係数より求められる内部応力値(σ)との比(Kc/σ)が2.0以上に設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/18 NKK
