特許

J-GLOBAL ID：200903000532509853

集積型量子細線トランジスタおよびその製造方法ならびに集積型細線トランジスタおよびその製造方法ならびに電子応用装置

発明者： 町田 暁夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-004616
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197612
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 シリコンナノワイヤーなどの量子細線の数の制御や位置の正確な制御が可能で、高速動作性および低雑音性に優れ、かつオン/オフ比に優れ、しかも狭いスペースで済むために極めて小型化可能な集積型量子細線トランジスタを提供する。 【解決手段】 側面にゲート絶縁膜12を有する複数のシリコンナノワイヤー11を互いに平行にかつ互いに分離して配置し、これらのシリコンナノワイヤー11の周囲にそれらを埋め込むようにゲート電極13を設けることにより柱状構造の集積型量子細線トランジスタを得る。各シリコンナノワイヤー11にはソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成しておく。ソース領域およびドレイン領域の周囲にはそれらを埋め込むようにそれぞれソース電極およびドレイン電極を形成する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

側面にゲート絶縁膜を有する複数の半導体ナノワイヤーが互いに略平行にかつ互いに分離して配置され、これらの複数の半導体ナノワイヤーの周囲にゲート電極が設けられた柱状構造を有する ことを特徴とする集積型量子細線トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

FI (5件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653B ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601L

Fターム (22件)：

5F140AA01 ,  5F140AA03 ,  5F140AA29 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB04 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BB04 ,  5F140BB19 ,  5F140BC13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BH05 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BK18 ,  5F140CC03 ,  5F140CC11