特許

J-GLOBAL ID：200903000534346935

スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜

発明者： 菊池 誠 ,  石上 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047898
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256939
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：

【要約】【目的】 高硬度、高靭性を示し、かつ密着性に優れた保護膜等を形成することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。【構成】 Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる焼結スパッタリングターゲットである。またさらには、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%の範囲で含有させる。

請求項（抜粋）：

Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる混合物を、焼成してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  B41J 2/335 ,  C23C 14/06